ICC訊 2025年6月，深圳 —— 深光谷科技（Shenzhen Photonics Valley Technologies）今日正式推出玻璃基雙四芯3D波導芯片，專為數據中心800G/1.6T多芯光模塊以及CPO光引擎設計，以典型值0.4-0.5dB的纖到纖超低損耗優異性能，支撐下一代高密度光互連應用。該產品通過兩顆四芯波導芯片相鄰加工，實現了8通道250 μm間距（pitch）標準陣列布局，完美對接主流8通道硅光光模塊的發射/接收接口需求，成為光互連架構升級的重要支撐器件。

雙四芯3D波導芯片結構示意圖

雙四芯3D波導芯片bar條加工實物圖和端面截面圖

  隨著人工智能和大模型訓練驅動下的數據中心帶寬需求持續增長，光模塊容量正迅速從400G向800G、1.6T乃至3.2T演進。傳統并行光纖方案（如多根單模光纖+ MPO接口）在帶來復雜連接的同時，也顯著提升了布線難度、成本和功耗瓶頸。多芯光纖方案憑借更高通道密度與更簡潔的布線結構，正成為下一代數據中心架構的關鍵趨勢。

  深光谷科技此次推出的雙四芯3D波導芯片具備以下核心優勢：

  ●  精準結構匹配：通過雙芯片集成實現1×8通道排列，250 μm標準間距陣列，與高速硅光模塊或CPO光引擎無縫對接；

  ●  面向800G/1.6T設計：完全貼合當前主流8×100G或8×200G模塊通道結構，適用于DR4/DR8等多種模塊標準；

  ●  優異的插損性能：基于自研飛秒激光直寫技術，波導通道損耗低于0.6 dB（典型值0.4-0.5dB），有效保障長距離、高帶寬傳輸質量；

  ●  結構緊湊、封裝友好：雙芯片共基板設計便于與TOSA/ROSA等組件整體封裝，芯片整體毫米級尺寸可完美集成于光模塊內部；

  除此之外，深光谷科技此前已發布基于自研飛秒激光直寫技術的4芯光波導芯片，并已通過多輪客戶評估測試及量產試產，目前已構建了面向數據中心應用的完整的多芯波導芯片產品，以適應不同光模塊架構和光纖連接需求：

  深光谷科技持續推動3D光波導與TGV光電封裝核心技術的產業化，賦能AI算力基礎設施與數據中心互連升級。此次雙四芯波導芯片的發布，標志著多芯互連在結構設計與工藝實現上的又一重大突破。

  目前，該產品已完成中試驗證并開啟小批量交付，現正向重點合作客戶開放樣品測試與定制合作，歡迎有合作意向的產業伙伴洽談對接。

  Shenzhen Photonics Valley Technology Co., Ltd

  深圳市深光谷科技有限公司

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