ICC訊  據韓國媒體報道，三星電子今日正式投產GAA架構的3nm工藝芯片制造，為趕超臺積電奠定基礎。報道稱，GAA架構優于當前廣泛使用的FinFET架構。

  臺積電此前宣布在今年下半年量產3nm工藝。這意味著，三星首次在先進工藝層面反超臺積電。此外，英特爾預計在明年下半年量產3nm工藝芯片。

  這一工廠投產也打破了業界的大量猜疑。此前臺灣業界就認為，三星可能因為3nm良率過低，而不得不延后量產。

  客觀來說，這一猜疑具有歷史基礎。三星一直努力追趕臺積電的先進工藝，但步伐太大，良率時不時成為隱患。在晶圓代工市場，三星也大幅落后于臺積電的份額。

  對于三星的突破性進展，臺積電表示不予評論。據稱，臺積電基于FinFET架構的3nm工藝將進入量產階段，并搭配FINLEX架構。此外，2nm工藝預計在2025年量產。

  數據顯示，三星芯片制造60%產能供給集團旗下公司。預計本次3nm產能也不例外，將優先三星集團使用。