ICC訊 韓國SK海力士日前宣布，該公司開發成功HBM3動態隨機存取存儲器（DRAM），每秒能夠處理819GB的數據，內置ECC校檢。

  該HBM3DRAM將以16GB和24GB兩種容量上市。其中24GB是業界目前最大容量。在24GB產品中，單品DRAM芯片的高度被磨削到約30μm，使用TSV技術垂直連接12個芯片。

  HBM3被稱為第四代HBM，由多個垂直連接的DRAM芯片堆疊而成，能夠創新性地提高內存帶寬。

  SK海力士2020年7月在業界最先開始量產HBM2DRAM。SK海力士強調，將繼續鞏固高端存儲器市場領導力，提供符合ESG（環境、社會、公司治理）經營理念的產品，盡最大努力提高客戶價值。

圖為HBM3DRAM產品封裝。

（SK海力士提供）