ICC訊 硅基光電技術國際領先企業之一的SiFotonics近期宣布，在成功推出可量產的4x53GBaud與8x53GBaud硅光集成芯片基礎上，成功演示了100GBaud硅光調制器，展示了硅光技術未來用于單波200Gb/s傳輸的潛力。

  在該項技術演示中，SiFotonics對硅光調制器芯片與匹配驅動電路進行了優化改進，合封的調制器驅動光電引擎顯示了清晰的100GBaud眼圖。

  “這一技術演示顯示了硅光集成芯片的高速傳輸潛力，說明在CMOS 量產平臺上生產的硅光芯片可以實現100GBaud信號高速調制，是硅光技術的一個重要利好，可以增強數據中心客戶對下一代硅光產品性能繼續提升的信心。另外，基于該技術的接收芯片也在評估和送樣測試中，其中包括128GBaud的Ge/Si探測器。SiFotonics的硅光收發集成芯片平臺為下一代800G(4x200G) 及1.6T (8x200G)產品線奠定良好基礎，相信這些下一代芯片將會大規模用于滿足數據中心的需求”, SiFotonics首席執行官CEO和創始人潘棟博士評論。

  “2021年， 公司的硅光集成產品線營收大幅增長，目前看到市場對100G/400G相干及強度調制類集成硅光芯片產品需求強勁，占了我們銷售的很大比例，預期明年市場有爆發性增長。”

  關于SiFotonics:

  SiFotonics Technologies是一家設計制造硅光芯片/器件及相關集成電路的供應商，并為數據中心、5G無線光網絡及骨干網鏈接提供解決方案。SiFotonics成立于2007年，在南京、北京和上海設有硅光技術研發中心和生產基地。