近日，ICC訊石走訪位于北京的SiFotonics(希烽光電)光芯片研發(fā)中心，以下是ICC訊石對SiFotonics高級副總栗粟博士的專訪：

  鍺硅探測器：越向高速走，優(yōu)勢越明顯

  據(jù)栗博士透露，SiFotonics單波25G和100G Ge/Si PD產(chǎn)品，憑借硅基CMOS平臺的工藝一致性、極低失效率、供應(yīng)穩(wěn)定性等優(yōu)勢，在5G、數(shù)據(jù)中心及AI集群建設(shè)中獲得了大規(guī)模商用，已累計(jì)出貨超過一億通道。

  面向AI集群1.6T應(yīng)用的單波200G Ge/Si PD采用背照式、單體集成硅透鏡設(shè)計(jì)，借助硅基CMOS平臺的高精度工藝控制能力，200G Ge/Si PD實(shí)現(xiàn)了更高的響應(yīng)度(>0.75A/W)、更大的等效耦合孔徑(>40um)、更高的背面/正面對準(zhǔn)精度(<±3um)、靈活匹配2.5D/3D封裝，且可獨(dú)家提供成本合理的4x200G 750um pitch array，陣列式設(shè)計(jì)保證了精確的通道間距，避免了單通道倒裝貼片帶來的累計(jì)通道間距變異。基于以上顯著優(yōu)勢，SiFotonics的200G Ge/Si PD目前獲得了大量客戶認(rèn)可，正在穩(wěn)步推進(jìn)批量部署。

  硅光集成芯片：從相干到IMDD，再到CPO/OIO

  據(jù)栗博士描述，SiFotonics作為全球最早的一批硅光創(chuàng)業(yè)公司之一，自2011年開始和臺灣Tier 1 CMOS fab戰(zhàn)略合作，打造自己的專屬硅光工藝平臺，走了一條與典型Fabless芯片設(shè)計(jì)公司不同的“IDM-Lite”路線，自主掌握硅光工藝和關(guān)鍵鍺硅外延設(shè)備，此模式帶來了工藝靈活、產(chǎn)能自主可控、低成本三個(gè)優(yōu)勢。

  基于專屬硅光工藝平臺，SiFotonics自2020年開始量產(chǎn)出貨相干集成芯片，2025上半年，SiFotonics在此硅光專線上完成了氮化硅工藝整合和器件開發(fā)，在成熟相干集成芯片基礎(chǔ)上做簡化，推出單波100G/200G IMDD(強(qiáng)度調(diào)制、直接探測)硅光集成芯片，憑借“IDM-Lite”模式帶來的差異化優(yōu)勢，吸引了眾多優(yōu)質(zhì)客戶的興趣，目前正在大量送樣和快速迭代中，預(yù)計(jì)2025年下半年進(jìn)入量產(chǎn)。為應(yīng)對AI集群市場的海量需求，SiFotonics也在積極擴(kuò)產(chǎn)，充分發(fā)揮產(chǎn)能自主可控的特點(diǎn)，為AI市場客戶預(yù)留充足產(chǎn)能，不設(shè)上限，并基于成熟可靠的專屬硅光產(chǎn)線和多年積累的硅光芯片量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，保障客戶的快速起量和穩(wěn)定供應(yīng)。

  與此同時(shí)，SiFotonics也在積極布局下一代CPO/OIO技術(shù)，包括基于Mach-Zehnder調(diào)制器的小尺寸、多通道(16或32通道)發(fā)端或收發(fā)一體CPO PIC，基于硅光+薄膜鈮酸鋰異質(zhì)集成的單波400G調(diào)制芯片，基于新一代調(diào)制技術(shù)的高密度OIO PIC，及基于自研PIC/EIC的光電合封光引擎等。

  栗博士認(rèn)為，面對AI大潮，SiFotonics從技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)上已做好充分準(zhǔn)備，將為AI市場提供從收端到發(fā)端、從長距到短距、從當(dāng)下到未來完整的硅光產(chǎn)品組合和解決方案，幫助客戶解決難題，為客戶提供獨(dú)特價(jià)值，獲得客戶的認(rèn)可和信任，做AI時(shí)代可信賴的硅光芯片專家。

SiFotonics與ICC訊石合照（本Q版照片由AI生成）