ICC訊 近日，由國家信息光電子創新中心(以下簡稱創新中心)牽頭，中國信息通信研究院、中興通訊股份有限公司等參與的行業標準研究課題項目——“100G Baud及以上高速光收發器件的研究”，獲得中國通信標準化協會批復立項(通標發[2020]42號，項目編號：2020B45)。此外，創新中心參與的另外一項行業標準研究課題項目——“800Gb/s光收發合一模塊研究”(項目編號：2020B46)也同時獲得批復立項。

  根據Ethernet Alliance(以太網聯盟)的技術發展路線圖，預計2025年，單通道100G Baud的光收發器件將成為發展的趨勢。此外，單通道400G QPSK相干傳輸系統，以及未來800G ZR相干傳輸系統，也提出100G Baud以上的光收發器件要求。100G Baud速率對現有的光芯片、電芯片，以及封裝技術都提出了巨大的挑戰。目前全球范圍內，僅有部分領先單位具備100G Baud器件的研發能力，獲得的測試數據也比較有限。放眼行業內，100GBaud以上光器件在實現方案、器件指標等方面各有不同，需要研究和推動統一標準的制定。該課題的立項將有力推動當前我國光通信行業100G Baud以上光器件指標、封裝定義、光電接口等技術指標的規范化和標準化發展，有利于我國在下一代高速光器件的標準制定方面取得先發優勢，提升國內相關產品的國際競爭力。

  目前創新中心在高波特率的調制器件的設計和系統驗證方面，處于國際先進水平：2019年實現了單通道120Gb/s NRZ和220Gb/s PAM-4的光互連，該成果是目前速率最高的硅基鈮酸鋰薄膜調制器，并在當年的ECOC會議上作為Post deadline成果發表，為下一代超高速光收發芯片提供了可行方案。

  標準化是科技成果轉化為生產力的重要“橋梁”，先進的科技成果必須通過標準化手段，轉化為生產力，才能推動產業和行業的進步。創新中心從2017年建設至今，始終高度重視產品和技術的標準化工作。在國內一流的光電子芯片工藝開發和中試驗證平臺的基礎上，創新中心已經取得一系列顯著成果，并聯合中國電信、中國聯通、中國信通院、華為、中興、烽火、諾基亞、科大國盾等國內30余家行業領先企業和科研院所，全力推動成果的標準化工作。截至目前，創新中心在半導體激光器芯片、100G、400G及800G等高速光收發器件和模塊、量子通信用量子密鑰分發關鍵器件等技術方向，已經牽頭開展行業標準課題1項，參與起草行業標準和課題9項，充分發揮了創新中心的行業引領示范作用，也大大提高了創新中心的行業影響力。