ICC訊 6月11日，高端半導體激光器芯片提供商縱慧芯光半導體科技有限公司(簡稱縱慧芯光)宣布，其砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)化合物半導體工廠FabX完成通線，標志著縱慧芯光在高端光電子芯片領域的又一重大突破，助力中國在高速光通信、激光雷達等核心芯片的自主化發展。

  2024年4月縱慧芯光完成數億元人民幣的C4輪融資，此次融資目標是加速產品技術研發和光通信產線布局。

  據公開資料顯示，縱慧芯光FabX項目投資規模達到5.5億元人民幣，規劃用地40畝，目標建設一條年產能為5000萬片芯片的半導體激光芯片生產線，同時配備先進的研發中心和測試中心。歷時一年時間，縱慧芯光FabX完成了廠房設計、建設及設備選型調試，并攻克了產品外延結構設計、Fab工藝開發等多項技術難題，成功實現項目通線。

  半導體激光器芯片在光通信的主要應用是光模塊。根據ICC訊石咨詢數據顯示，2025年全球光模塊市場將達220億美元，預計2029年該市場增長至312.00億美元，復合增長率為7.24%。全球光模塊市場增長核心驅動力是AI算力、云計算、5G/6G無線和光接入以及城域骨干網絡等場景速率升級。尤其是Hyperscaler積極部署AI算力集群互連，推動了400G和800G光模塊交付規模創下歷史新紀錄。

  但是，AI算力互連需求急劇增長超過全球產業鏈的供應能力，盡管主流激光器供應商已在2024年擴產加大供應，但高速光芯片短缺依然延長了交貨周期，光模塊客戶面臨很大的光電子芯片缺口。這給予中國光電子芯片廠商崛起的市場機會。

  在光通信領域，縱慧芯光已于2023年實現50G PAM4 VCSEL芯片銷售。100G PAM4 VCSEL樣品指標與國際頭部廠商對齊，在譜寬指標方面優于國際頭部廠商，有利于更遠距離的信號傳輸，預計2025年開始量產，以滿足供不應求的AI市場。

  縱慧芯光FabX工廠布局砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)化合物半導體技術材料平臺，將使縱慧芯光成為成為更全面的半導體光電器件提供商，瞄準AI算力驅動下高速光通信市場對高端VCSEL、EML、大功率CW DFB等半導體激光器芯片供不應求的上升需求，為全球客戶提供更高品質的產品和服務，助力公司在全球市場中占據更有利的競爭地位。