度亙核芯基于自主開(kāi)發(fā)的高功率、高效率、高可靠性的單模808nm半導(dǎo)體激光芯片，推出國(guó)際領(lǐng)先的高性能蝶形光纖耦合模塊，率先在國(guó)內(nèi)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化突破，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。

  應(yīng)用背景

  單模高性能808nm泵浦光，為緊湊型光纖激光器提供可靠核心動(dòng)力。作為摻釹增益介質(zhì)(如Nd:YAG、Nd:YVO?)的首選泵浦波長(zhǎng)，808nm單模泵浦源在飛秒激光振蕩器、雙光子激發(fā)顯微成像等前沿研究領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。另外，因其極佳的頻率穩(wěn)定性和低噪聲特性，廣泛應(yīng)用于深空探測(cè)中的干涉儀、超高精度激光測(cè)距等眾多尖端科學(xué)研究領(lǐng)域。

  單模808nm泵浦源憑借其卓越的光束質(zhì)量與系統(tǒng)可靠性保障，已成為高端激光系統(tǒng)的核心組件。度亙核芯在單模激光芯片與模塊領(lǐng)域深耕細(xì)研，推出系列高功率、高可靠的單模產(chǎn)品，為前沿科學(xué)研究、光通信、工業(yè)加工及智能感知系統(tǒng)等提供核心泵浦動(dòng)力。

  創(chuàng)新成果與突破

  單模高功率808nm半導(dǎo)體激光芯片和光纖耦合模塊

  ?高功率輸出：通過(guò)精細(xì)化的外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與低應(yīng)力工藝制備，實(shí)現(xiàn)了芯片輸出功率最高突破1200mW，耦合模塊輸出功率最高超過(guò)600mW;

  ?高效率：芯片最高電光轉(zhuǎn)換效率達(dá)到55%，在700mW工作條件下，電光轉(zhuǎn)換效率依然保持在53%;模塊400mW工作條件下，電光轉(zhuǎn)換效率超過(guò)34%;

  ?高可靠性：針對(duì)808nm單模激光芯片功率衰退這一痛點(diǎn)問(wèn)題，采用突破性的芯片與器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以及工藝優(yōu)化，大幅改善了功率衰退現(xiàn)象，在700mW的工作條件下，保障了芯片的可靠工作。

圖1 單模808nm高功率芯片的L-I-V-E特性曲線

圖2 光纖耦合模塊特性曲線

圖3 不同電流對(duì)應(yīng)光譜圖

  產(chǎn)品規(guī)格

  關(guān)于度亙

  度亙核芯以高端激光芯片的設(shè)計(jì)與制造為核心競(jìng)爭(zhēng)力，聚焦光電產(chǎn)業(yè)鏈上游，擁有覆蓋化合物半導(dǎo)體激光器芯片設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、器件工藝、芯片封裝、測(cè)試表征、可靠性驗(yàn)證以及功能模塊等全套工程技術(shù)能力和量產(chǎn)制造能力，專注于高性能、高功率、高可靠性光電芯片及器件的設(shè)計(jì)、研發(fā)和制造，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)加工、智能感知、光通信、醫(yī)療健康和科學(xué)研究等領(lǐng)域，致力打造具有國(guó)際行業(yè)地位的產(chǎn)品研發(fā)中心和生產(chǎn)制造商。