ICCSZ訊（編輯：Anton）11月12日，由國家信息光電子創新中心主辦的第二屆中國硅光產業論壇在武漢成功舉辦。國家信息光電子創新中心副董事長毛浩在會上表示，硅光產業論壇將產業鏈匯聚一起，探討硅光技術的應用和發展。近年來經過調查與實踐，硅光技術被認為是行業需要突破的產業共性瓶頸以及未來的發展方向。隨著5G商用，5G承載場景對硅光技術的需求更加明顯，在已經實現規模商用的數據中心市場中，硅光產品也在不斷向更高速階段沖擊，例如阿里巴巴推出400G DR4硅光模塊。

      國家信息光電子創新中心成立的意義在于匯聚全行業鏈資源，推動人才、技術和資本等社會資源的融合，促進新技術的商用化，不與上下游競爭，發揮產業資源最大優勢，突破硅光產業的發展瓶頸。

  在論壇上，國家信息光電子創新中心傅焰峰博士發表《國家信息光電子創新中心建設與發展》的主題報告，向行業詳細介紹了國家信息光電子創新中心建設及成立以來取得的成果。

  2018年4月26日，承載著解決我國信息光電子制造業“關鍵和共性技術協同研發，實現首次商業化”戰略任務的國家信息光電子創新中心在武漢正式掛牌成立。在目前國內光通信產業鏈科研和應用實力強，開發和驗證能力弱的背景下，國家信息光電子創新中心依托國內領先的芯片工藝開發和中試驗證平臺，希望能夠打通產學研之間的“死亡谷”，實現高端光芯片的自主可控。

  關鍵設施設備提升 提供高效對外服務

  傅焰峰表示，在III-V族光芯片試驗證平臺上，我們在已有的工藝上對光刻、外延、鍍膜等關鍵設施和裝備進行了補充和提升，掌握了完整的高速DFB、VCSEL、EML激光器、探測器芯片等InP、GaAs光芯片加工工藝，完全具備對外服務能力。

  硅光平臺方面有國內首套自動化8/12寸硅光晶圓篩檢系統以及高速硅基芯片測試系統。已經開始對中科院、華科、中山大學在內的20余家企業和高效提供對外服務。

  光電子封測平臺已建成手動和半自動耦合封裝系統，另外采購了全自動光電子芯片封裝系統。在光纖放大器和激光器測試上已經開始對外服務。

  應用技術開發平臺已建成國內領先的“超高速、超大容量、超長跨距”光傳輸技術驗證平臺，支持光器件的Pb/s級、萬km光纖傳輸系統功能驗證，可提供光纖激光器、光學傳感、空間光等新興應用的測試和驗證服務。

  成功研制首款 100G硅光芯片 2020年Q1 400G硅光模塊送樣

  在成果方面，創新中心研制出國內首款1*100G硅光調制器芯片和模塊樣機，預計2020年第一季度實現400G硅光模塊送樣。另外在研的有25G波長可調光芯片，主要應用與5G前傳光模塊，創新中心與光迅聯合研制25G可調諧光發射組件，實現硅基調制器與III-V SG-DBR可調激光器芯片混合集成，于今年第三季度出樣，國際上尚未有同類商用產品問世。

  創新中心還與中山大學蔡鑫倫團隊聯合研發超高速LN薄膜光調制器芯片，單通道調制速率達120Gbaud NRZ，220Gb/s PAM4。與中科院祁楠團隊聯合開發5G光模塊所需的高速CMOS TIA和驅動器芯片。隨后在國內率先完成50Gb/s PAM4硅基光電子集成，相關成果已投稿IEEE JSSC特邀報道。

  整合產業資源 協同發展

  國家信息光電子創新中心成立后，重點針對我國“缺芯”問題，重點補充提升平臺的關鍵設施，裝備及封裝、檢測能力。經過了一年多的發展，攻克了100G硅光收發芯片的研制和生產，為企業和高校提供優質對外服務，未來也將充分整合產業鏈資源，與業界同行廣泛合作，為提高芯片國產供給率貢獻出自己的力量!