ICC訊 據無錫金投消息，無錫金投的旗下基金——金投領航和金投信安基金完成對江蘇華興激光科技有限公司(簡稱華興激光)4000萬元投資。此次對華興激光項目的投資，是無錫金投旗下基金對半導體光通信領域首單大規模風險投資。

  據介紹，華興激光是國內首家專注于化合物半導體光電子外延片研發和生產的國家高新技術企業。公司建有包括50余臺套薄膜材料外延(MOCVD)、微納結構加工(全息/電子束光刻)以及晶圓檢測設備在內的先進化合物半導體生產線，掌握完全自主知識產權的2英寸-6英寸砷化鎵(GaAs)基和磷化銦(InP)基半導體激光(LD)和探測(PD)外延片量產技術，其中，1310/1550 nm波段10G/25G DFB LD/PD/APD外延片、808/905/915/980/1064 nm FP/DFB LD外延片等產品性能達到國際先進水平，廣泛應用于5G通信、激光雷達、激光泵浦、激光顯示等領域。

  回到本次投資，無錫金投通過投資華興激光項目，實現對半導體光通信領域的重大股權投資探索，也是對國內頂級科學家團隊在高技術壁壘領域創業的鼎力支持。投資完成后，無錫金投將通過資源嫁接、資金支持、規范治理和增值服務等方式，推動華興激光成為國內領先的半導體光通信外延領域標桿公眾公司。

  訊石認為，華興激光正處在光通信市場國產化需求日益高漲的階段，而隨著5G對光通信模塊需求量的釋放，半導體激光器研發也迫切需求工藝升級。

  華興激光總經理羅帥博士表示，半導體激光器可以先后分為外延工藝、芯片工藝和封裝工藝，華興激光便專注在前道外延工藝(Epi-wafer)上，使用先進的金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)設備，發揮中科院半導體所在材料外延上的技術積累，為激光器芯片做好前道工序服務，而材料外延也是光芯片制備工藝的核心環節，其晶格質量直接決定光芯片的工作性能。

華興激光總經理 羅帥博士

  在外延、芯片、器件/模塊、系統到運營商的光通信產業鏈中，國外獨立的外延產業及垂直一體化已相對完善，而國內外延材料產業尚處于起步階段，材料外延技術儲備主要集中在高校、科研院所，產業基礎薄弱。隨著5G光通信模塊市場需求增長，芯片、器件廠商對成本的控制更加迫切，國內化合物半導體III-V族磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)外延材料開始逐漸被光通信芯片器件廠商重視。同時，一些新興應用領域如激光雷達、3D成像、激光加工等領域的發展也帶來大量新的外延材料需求，這將給國內外延材料產業帶來一次崛起的機遇。