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英飛凌推進300毫米氮化鎵制造 鞏固IDM市場領先地位

摘要:英飛凌科技宣布其300毫米氮化鎵(GaN)半導體制造路線圖進展順利,首批樣品將于2025年第四季度向客戶提供。作為領先的集成器件制造商(IDM),英飛凌憑借規?;a和全流程控制優勢,將進一步鞏固其在GaN市場的領導地位,滿足工業、汽車、消費電子等領域對高效能半導體日益增長的需求。

  ICC訊  隨著氮化鎵(GaN)半導體需求的持續增長,英飛凌科技(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)正抓住這一趨勢,鞏固其作為GaN市場領先集成器件制造商(IDM)的地位。日前,公司宣布其可擴展的300毫米GaN晶圓制造進展順利,首批樣品將于2025年第四季度向客戶提供。此舉將使英飛凌進一步擴大客戶群,并強化其在GaN領域的領先優勢。

  作為電力系統領域的領導者,英飛凌掌握了三種關鍵材料技術:硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。GaN半導體具有更高的功率密度、更快的開關速度和更低的功率損耗,能夠實現更小型化的設計,從而降低智能手機充電器、工業及人形機器人、太陽能逆變器等電子設備的能耗和發熱。

  英飛凌GaN業務線負責人Johannes Schoiswohl表示:“我們全面升級的300毫米GaN制造能力將使我們能夠更快地為客戶提供最高價值,同時推動硅基和GaN產品的成本趨近。在宣布突破300毫米GaN晶圓技術近一年后,我們很高興看到轉型進程按計劃推進,并且行業已認識到英飛凌GaN技術的重要性,這得益于我們IDM戰略的優勢。”

  英飛凌的制造策略主要基于IDM模式,即擁有從設計、制造到最終產品銷售的完整半導體生產流程。公司的自主制造戰略是市場差異化的關鍵,提供了高質量、更快上市時間以及卓越的設計和開發靈活性等優勢。英飛凌致力于支持其GaN客戶,并可根據需求擴展產能,以滿足他們對可靠GaN電源解決方案的需求。

  憑借技術領導力,英飛凌成為首家在其現有大規模制造基礎設施中成功開發300毫米GaN功率晶圓技術的半導體制造商。與成熟的200毫米晶圓相比,300毫米晶圓的生產技術更先進,效率顯著提高,因為更大的晶圓直徑可使每片晶圓生產的芯片數量增加2.3倍。隨著GaN功率半導體在工業、汽車、消費電子及計算與通信應用(如AI系統電源、太陽能逆變器、充電器、適配器和電機控制系統)中的快速普及,英飛凌龐大的GaN專家團隊和最廣泛的行業IP組合將成為關鍵支撐。

  市場分析師預計,到2030年,功率應用領域的GaN收入將以每年36%的速度增長,達到約25億美元(1)。英飛凌的專用制造產能和強大的產品組合(過去一年已發布40多款新GaN產品),使其成為尋求高質量GaN解決方案客戶的首選合作伙伴。

  (1)Yole Group;《功率SiC和GaN化合物半導體市場監測》,2025年第二季度

  來源:www.infineon.com

內容來自:訊石光通訊網
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文章標題:英飛凌推進300毫米氮化鎵制造 鞏固IDM市場領先地位
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